中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台
电子显微镜实验室
扫描探针显微镜实验室
结构分析实验室
光电性能分析实验室
计算中心
地址:苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号(区号:0512 邮编:215125)
电子显微镜实验室: 扫描电镜(62872632)透射电镜(62872633)
光电实验室:62872594 2593
扫描探针实验室:62872550
结构分析实验室:62872551
计算中心:62872616
半导体参数测试系统  
 
仪器名称: 半导体参数测试系统
型         号: 4200
生产厂家: 美国Keithley公司

主要配置:

• 4个中功率源测量模块(SMU)
• 1个高功率源测量模块
• 3个前置放大器
• 4980型LCR表
• 超低漏电流8×12矩阵结构开关控制器
• 全套内置式脉冲I-V测量解决方案

性能指标:

暂无!

主要用途:

1、普通IV 测量 (0.1fA~100 mA; 1μV~200 V, 5 SMUs )
—电压测量范围为1mV-200V,电压测量最小分辨率为1mV
—电流测量范围为0.1fA-100mA(高功率可到1A),电流测量最小量程为1Pa
—在最小量程上的电流测量最小分辨率为0.1fA,精度10fA
—该SMU的最小脉冲工作时间为5ms;
—额定功率:2W(中功率SMU);20W(高功率SMU)。
2、普通CV测量 (From 20 Hz to 2 MHz)
—扫描电压范围0~±40V;
—可变频率范围:20Hz—2MHz,频率精度±0.01%;
—测量量程:1fF ~ 100nF
—测量精度:0.1%
—最小电容值测试能力:1fF;
3、脉冲 IV 测量
高速脉冲模式:
—带宽:1Hz—50MHz;
—最小脉宽10ns;最小脉冲周期20ns;
—输出电压幅值:100mVpp—10Vpp(±5V),50Ω时;200mVpp—20Vpp(±
10V),1MΩ时;
—可调节脉冲宽度范围为10 ns—DC;
—可调节上升/下降时间(0-100%)为10ns—1s;
高电压脉冲模式:
—带宽:1Hz—2MHz;
—最小脉宽250ns;最小脉冲周期500ns;
—输出电压幅值:500mVpp—40Vpp(±20V),50Ω时;1Vpp—80Vpp(±
40V),1MΩ时;
—可调节脉冲宽度范围为250ns—DC;
—可调节上升/下降时间(0-100%)为150ns—1s;


联系人:周桃飞
联系电话:0512-62872594
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