霍尔效应测量系统采用已有相关设备，自主集成，主要由双轭双调谐可调气隙电磁铁（内置水冷）加多功能电磁铁电源构成的磁场系统、keithley 4200半导体综合参数测试系统中四个高精度源测量模块(电流：10fA-100mA；电压：1mV-200V)可在77－370K下连续变温的低温制冷系统和控制软件等构成，适合各类半导体材料如Si, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, InP, AlAs, GaN, InN, InSb, GaSb, InGaAs, InGaP, CuInGaSe、GaInNAs、GaInNAsSb等薄膜材料或块材(适合N/P型材料以及高/低阻值材料) 的霍尔测试，可快速给出导电类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要的半导体材料参数。

 

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