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半导体材料生长工艺TEM追踪观察

【发稿时间】:2016/5/31
客户利用沟槽工艺Si上选择性外延生长了Ge, 通过多个TEM截面样品的追踪观察,揭示了不同工艺阶段,Ge在沟槽中的生长及形貌演变,为客户工艺控制提供参照。
 
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