中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台
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半导体器件剖面载流子浓度分布

【发稿时间】:2016/5/31
半导体器件剖面载流子浓度分布:扫描探针与透射电镜制样联合,利用电镜制样设备为国网智能电网研究院制备了碳化硅离子注入后材料的剖面样品,并利用SCM(扫描电容显微镜)方法为测试了碳化硅的离子注入样品剖面,获得了离子注入区域的空间分辨图像,取得了用户好评。该测试项目从制样、测试到分析都在平台实现,充分发挥了平台多设备的优势,扩展了服务能力。
 
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