中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台
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半导体材料的检测与分析

【发稿时间】:2016/6/14
在共聚焦荧光显微镜上可以直观探测到,LED(LD)量子阱结构中的损伤、缺陷。
 
图a:观测某量子阱材料有源区发光均匀性,
     该样品发光不均匀,有地方亮;有地方暗;
     六边形暗斑为缺陷,V形坑(V-pits)。
图b:观测到不发光的暗斑为量子阱结构退化、热分解所引起的缺陷、阱层结构损坏。
 
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