中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台

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掺铁GaN带边精细发光

【发稿时间】：2016/6/14

掺铁GaN带边精细发光结构研究，L1与L2 被分别认为是与铁离子相关的受主束缚激子与强局域束缚激子发光峰

本套设备可完成光致发光谱测量，可测量光波长范围从220nm~1700nm，温度调节范围从3K~300K。激发光波长包括：325nm、405nm、532nm、633nm、980nm等。

基本配置包括：Princeton Instruments SP2500i光谱仪，CRYOMECH 12W压缩机，CCD及InGaAs探测器，三维平移台等。