中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台

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张纪才 博士 研究员 硕士生导师

 
研究经历:
 
2005年毕业于中国科学院半导体研究所,获得博士学位。2005年至2006年,在以色列理工学院(Technion-Israel Institute of Technology)从事博士后研究;2006年至2010年先后在日本名古屋工业大学(Nagoya Institute of Technolgy)和三重大学(Mie University)从事研究工作。2010年底加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员,硕士生导师。
自1998年至今,一直从事氮化物半导体材料生长、相关器件的研发和物理性能的研究。先后从事了离子注入GaN的物性研究,III族氮化物薄膜、多量子阱、量子点、深紫外LED等的MOCVD生长和物性研究,AlN衬底材料的高温HVPE生长和物性研究等。先后参加承担了国家自然科学基金、国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金、The Israeli Council of Higher Education postdoctoral fellowship、日本的“大口径Si基板上的四元合金氮化物基的发光及电子器件的研究”、“地球温暖化问题解決为目的的亚洲国际合作框架构建”、 “高効率光・功率器件材料的开发”等科研项目。在Appl. Phys. Lett., J. Appl. Cryst.,J. Appl. Phys., IEEE J.  Quantum. Electron., J. Cryst. Growth,《物理学报》等国内外一流SCI收录杂志发表论文30余篇,被引用110余次。
 
研究方向:HVPE生长GaN、AlN自支撑衬底; GaN基光电子器件
 
研究成果:
部分论文:
1)       J. C. Zhang, Y. Sakai, T. Egawa, Low-temperature electroluminescence quenching of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 013503.
2)       J. C. Zhang, Y. Sakai, T. Egawa, Study on the Electron Overflow in AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE J. Quantum Electron, 46 (2010) 1854-1859.
3)       Y. H. Zhu, J. C. Zhang, Z. T. Chen, and T. Egawa, Demonstration on GaN-based light-emitting diodes grown on 3C-SiC/Si(111), J. Appl. Phys. 106 (2009)124506.
4)       Z. T. Chen, Y. Sakai, J. C. Zhang, T. Egawa, J. J. Wu, H. Hiyake, and K. Hiramatsu, Effect of strain on quantum efficiency of InAlN-based sloar-blind photodiodes, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 083504.
5)       J. C. Zhang, Y. H. Zhu, and T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, and M. Tanaka, Suppression of the subband parasitic peak by 1 nm i-AlN interlayer in AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 131117.
6)       J. C. Zhang, Y. H. Zhu, and T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, and M. Tanaka, Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 92 (2008)191917.
7)       J. C. Zhang, B. Meyler, A. Vardi, G. Bahir, and J. Salzman, Stranski–Krastanov growth of GaN quantum dots on AlN template by metalorganic chemical vapor deposition, J. App. Phys. 104 (2008) 044307.
8)       S. SUMIYA, Y. ZHU, J.C. ZHANG, K. KOSAKA, M. MIYOSHI, T. SHIBATA, M. TANAKA, and T. EGAWA, AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Grown on Epitaxial AlN/Sapphire Templates, Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 43-46.
9)       Y.H. Zhu, S. Sumiya, J.C. Zhang, M. Miyoshi, T. Shibata, K. Kosaka, M. Tanaka and T. Egawa, Improved performance of 264 nm emission AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes, Electron. Lett. 44 (2008) 493-495.
10)    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, and T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, and M. Tanaka, Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 91 (2007)221906.
 
E-mail:jczhang2010@sinano.ac.cn

 
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