中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所-测试分析平台
 
   
   
平台人员历年申请的专利
      【作者】:平台人员                                  【发稿时间】:2012/5/23

2007
1.        用于外延生长的原位应力光学监控装置,王建峰,徐科,朱建军,杨辉, 国内,实用新型,已授权,申请号:200720039487.X
2.        用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统,王建峰,徐科,朱建军,杨辉国内,实用新型,已授权,申请号:200710023556.2
3.        一种制备三族氮化物衬底的方法,徐科,杨辉,王建峰,张宝顺,国内,实用新型,已授权,申请号:200710023555.8
4.        一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法,李 睿,胡晓东,徐科,代 涛,陈伟华,胡成余,包魁,王彦杰,张国义,国内,发明专利,申请号:200710121505.3
 
2008
5.        一种制备有机半导体材料红荧烯微/纳米线的方法,曾雄辉,徐科,张锦平,张露,黄凯,国内,发明专利,已授权,专利号:ZL200810243123.2
6.         发光二极管用钇铝石榴石粉体的制备方法,曾雄辉,徐科,张锦平,张露,黄凯。国内,发明专利,已授权,专利号:ZL200810243124.7
7.        一种硅基图形衬底上生长外延层的方法,朱建军,徐科,王建峰,国内,发明专利,已授权,申请号:200810200193.X
8.        分离外延层与衬底的方法,王建峰,徐科,张永红,国内,发明专利,已授权,申请号:200810200190.6
9.        半导体异质衬底及其生长方法,徐科,李清文,王建峰,国内,发明专利,已授权,申请号:200810200191.0
 
2009
10.   发光二极管及其生长方法,王建峰,徐科,任国强,张育民,国内,发明专利,已授权,专利号:CN101621103A
11.   气相外延工艺中的掺杂方法及其装置,张育民,王建峰,任国强,徐科,国内,发明专利,已授权,公开号:CN101665978A
12.    一种半导体衬底的生长方法,任国强,徐科,王建峰,张育民,国内,发明专利,已授权,专利号:CN101620992A
13.   一种真空原子力显微镜及其使用方法,秦华,刘争晖,钟海舰,樊英民,徐科,国内,发明专利,已授权,申请号:200910030522.5
14.   一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法,刘争晖,钟海舰,徐科,王明月,国内,发明专利,已授权,专利号:CN101598655B
15.    一种利用氨热法生长氮化物的反应装置,任国强,王建峰,徐科,张永红,杨辉,国内,发明专利,申请号:200910247539.6
16.   具有自剥离功能的衬底以及剥离外延层的方法,王建峰,任国强,刘建奇,徐科,国内,发明专利,申请号:200910196420.0
17.    半导体材料的生长方法以及半导体衬底,刘建奇,任国强,王建峰,徐科,杨辉,国内,发明专利,申请号:200910247543.2
18.   一种掺杂稀土元素的荧光粉及其制备方法,曾雄辉,徐科,王建峰,任国强,国内,发明专利,申请号:200910247542.8
19.   一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法,曾雄辉,王建峰,徐科,任国强,张永红,杨辉,国内,发明专利,申请号:200910247541.3
20.   多结太阳电池集成测试系统,陈晔,周桃飞,熊康林,樊英民,徐科,杨辉,国内,发明专利,申请号:200910183931.9
 
2010
21.   金属-半导体电极结构及其制备方法,钟海舰,刘争晖,徐耿钊,蔡德敏,任国强,樊英民,王建峰,徐科,国内,发明专利,申请号:201010574581.1
22.   分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法, 曾雄辉,徐科,王建峰,任国强,黄凯,包峰,张锦平,国内,发明专利,申请号:201010017135.0
23.   金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法, 曾雄辉,徐科,王建峰,   任国强,黄凯,包峰,张锦平,国内,发明专利,申请号:201010017134.6
24.   一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法,曾雄辉,张鹏强,徐科,包峰,黄凯,张锦平,国内,发明专利,申请号:201010122792.1
 
2011
25.   发光二极管及其制备方法,太阳能电池及其制备方法,樊英民,王建峰,刘争晖,钟海舰,任国强,蔡德敏,徐耿钊,徐科,国内,发明专利,申请号: 201110078136.0
26.   一种III族氮化物衬底的生长方法,衬底以及LED,徐耿钊,王建峰,刘争晖,任国强,蔡德敏,钟海舰,樊英民,徐科,国内,发明专利,申请号:  201110078131.8
27.   一种石墨烯的生长方法及其石墨烯,刘争晖,王建峰,钟海舰,任国强,蔡德敏,徐耿钊,樊英民,徐科,国内,发明专利,申请号:201110078118.2
28.   材料的表面局域电子态的测量装置以及测量方法,徐耿钊,刘争晖,钟海舰,樊英民,徐科,国内,发明专利,申请号:201110182011.2
29.   采用原子力显微镜测量样品界面势垒的装置以及方法,徐耿钊,刘争晖,钟海舰,樊英民,徐科,国内,发明专利,申请号:201110182014.6
30.   导电原子力显微镜的探针以及采用此探针的测量方法,刘争晖,徐耿钊,樊英民,钟海舰,徐科,国内,发明专利,申请号: 201110179440.4
31.   同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,崔苗,周桃飞,王建峰,徐科,黄俊,田飞飞,张锦平,国内,发明专利,申请号:20111078117.8
32.   微纳流通道及其制备方法,弓晓晶,刘争晖,徐耿钊,钟海舰,王建峰,徐科,杨辉,国内,发明专利,申请号:201110248442.4
33.   界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法,樊英民 钟海舰 徐耿钊 刘争晖 曾雄辉 周桃飞 邱永鑫 王建峰 徐科,徐科,国内,发明专利,申请号:201110416217.7

 
 
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