近日，根据中国科学院《关于公布2012年度中国科学院王宽诚人才奖获奖人员名单的通知》（科发人教字〔2012〕49 号），苏州纳米所测试分析平台王建峰博士荣获2012年度中国科学院王宽诚人才工作奖励基金“卢嘉锡青年人才奖”，成为苏州纳米所第4位获此奖励的青年科研人员，此前，先后有李炯、陈艳艳和高雪峰3名科研人员获得此项荣誉。

“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”由中国科学院与王宽诚教育基金会于2008年联合设立，旨在吸引和凝聚创新思想活跃的青年人才，鼓励青年人才面向国家战略需求和国际学科前沿，在创新实践活动中锻炼成长，奖励在各学科领域做出突出贡献的青年科技人才。

王建峰，副研究员,2006年获武汉大学博士学位。2006年12月加入中科院苏州纳米所，主要从事“高质量氮化物衬底材料”的研发与产业化。在Appl. Phys. Lett.等杂志上发表论文11篇，申请专利20项，其中5项已获得授权。2008年获得了中科院苏州纳米所“先进工作者”称号。

王建峰博士作为核心骨干成员，从自行设计搭建HVPE生长系统开始，系统深入研究了氮化镓材料的HVPE生长机理，相继解决了完整2英寸氮化镓衬底材料制备中的系列难题，经过四年多的努力，实现了全系列氮化镓衬底产品的产业化开发， GaN衬底的质量步入国际先进行列(位错密度~105cm-2，背景电子浓度~1015cm-3，室温电子迁移率>1400v.s/cm2，80K温度下电子迁移率高达4500v.s/cm2)，自支撑2英寸氮化镓晶片在研究所的参股公司苏州纳维实现批量生产。          

由于在氮化镓衬底上可以实现高质量同质外延、高效率的垂直结构器件、灵活的散热解决方案，在蓝、绿光激光器、高功率LED、功率微波器件、电力电子器件、高能探测器等高端器件方面具有广阔应用前景。目前能够提供2英寸自支撑GaN衬底的单位只有日本住友、日立电缆、美国CREE等少数企业，苏州纳维成为其中一员，并已经获得国外客户多次试用后的稳定订单，被评价为“质量好、价格有优势”。近期产业资讯显示，多家国际知名企业计划从2012年至2015年总计投入4亿多美元来加快氮化镓衬底的产业化进程，氮化镓衬底的产业化应用将推动第三代半导体相关产品形成更强的产业渗透力。

                                    转自苏州纳米所网站

                                   2012-05-16| 文章来源：人力资源处 王瑗