各位老师、同学：

我们邀请到日本国立佐贺大学郭其新教授来访，并做学术报告，欢迎大家参加：

 

报告题目：第三代半导体材料的原因和最新研究动态

报告人：郭其新

时间：2020年1月6日上午10:30～12：00

地点：A718会议室

 

主持人：徐科

 

郭教授的报告摘要和简历如下，郭教授自2009年以来也一直是测试平台的客座研究员。

 

 

内容:以硅(Si)为代表的第一代半导体材料，砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料，为人类社会发展做出了巨大贡献。以GaN，金刚石，Ga₂O₃为代表的第三代半导体材料在各种应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件，以及光电子和微电子等产业的新型发动机。报告将介绍第三代半导体材料的原理，制作方法以及利用同步辐射光研究第三代半导体材料光学特性的最新研究动态。

 

 

郭其新，日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任，电气电子系教授，博士生导师。分别于1990，1992和1996年在日本国立丰桥技术科学大学电气电子系获得学士，硕士和博士学位。主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上发表SCI论文310余篇，H因子为43（Google Scholar）。在国际学术会议上多次做邀请报告并担任国际会议主席，组织机构成员和技术委员会委员。日本学术振兴会162宽禁带光电材料委员会委员。