一、大会简介：

      近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，由中国电子学会电子材料学分会发起并主办、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办的第一届全国宽禁带半导体学术会议于2015年10月31日-11月2日在苏州成功举行，参会规模近500人。

           中国有色金属学会作为全国MOCVD会议主办方，十分关注和支持宽禁带半导体材料与器件的技术进步与产业发展，通过充分的调研后决定成立首个全国性宽禁带半导体学术组织—中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会,并于2015年12月11日在广东省东莞市隆重举行成立仪式暨首届宽禁带半导体学术研讨会，来自国内宽禁带半导体学术界和产业界的专家学者进行了两天的学术交流。

      2016年在延吉召开的14届全国MOCVD 会议期间，“宽禁带半导体专业委员会”与“电子材料学分会”联合开会讨论决定：全国宽禁带半导体学术会议自第二届开始将由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会共同举办；第二届全国宽禁带半导体学术会议定于2017年8月10日—8月12日在青海西宁市举行。

      第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

二、大会征文专题：

     1. 材料生长

        氮化物半导体、氧化物半导体、SiC、金刚石等

     2. 材料物性和表征方法

        光、电、磁、热性质、缺陷物理等

     3. 光电子器件及其应用

        LED、LD、光电探测器等

     4. 电子器件及其应用

        射频电子器件、功率电子器件等

     5. 新型宽禁带材料与器件

        超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等

三、大会论文内容及格式要求：

     1.论文摘要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位。

     2.论文及摘要以word文档形式撰写，包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献等在内不超过二页A4纸（相关模板可见附件）。根据投稿论文内容按照会议专题（编号1-5）进行归类，并将相应的专题编号命名在word文档文件名中，文件名命名格式为：会议专题编号_第一作者姓名_论文题目；于2017年6月10日前通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书处(wbs_info@163.com)。

     3.投稿请用电子邮件方式（附上作者联系方式及通讯地址），本届会议不接受非电子文档的投稿。

     4.经过审稿符合大会研讨主题要求的所有论文摘要将编入会议文集。

     5.重要日期：

               投稿截止日期：2017年6月10日

           论文录用通知时间：2017年7月10日

四、本次会议将遴选部分优秀论文以专刊形式在《半导体学报》发表。

注：

投稿请联系: 赵维 黄玉婷

T：020-61086425-8004

M：18840341159

E：291318252@qq.com